IPG20N06S2L50ATMA1

Name: Infineon Technologies IPG20N06S2L50ATMA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.7 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerVDFN
MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
Date Sheet

Lagernummer 10665

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：15 ns
Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：OptiMOS™
Опубликовано：2003
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Код ECCN：EAR99
Максимальная потеря мощности：51W
Форма вывода：FLAT
Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
Основной номер части：*PG20N06
Нормативная Марка：AEC-Q101
Код JESD-30：R-PDSO-F
Конфигурация：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Время задержки включения：2 ns
Мощность - Макс：51W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：50m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2V @ 19μA
Без галогенов：Halogen Free
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：560pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：17nC @ 10V
Время подъема：3ns
Время падения (тип)：10 ns
Непрерывный ток стока (ID)：20A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Максимальное напряжение питания с двумя источниками：55V
Сопротивление открытого канала-макс：0.05Ohm
Рейтинг энергии лавины (Eas)：60 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead

Со склада 10665

Итого $0.00000