FDMS7700S

Name: ON Semiconductor FDMS7700S
Brand: ON Semiconductor
Rating: 5 (7 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerWDFN
Trans MOSFET N-CH 30V 12A/22A 8-Pin Power 56 T/R
Date Sheet

Lagernummer 10

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
Срок поставки от производителя：16 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerWDFN
Количество контактов：8
Вес：211mg
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：12A 22A
Количество элементов：2
Время отключения：58 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：PowerTrench®
Код JESD-609：e4
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：6
Код ECCN：EAR99
Сопротивление：7.5MOhm
Конечная обработка контакта：Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
Максимальная потеря мощности：1W
Код JESD-30：R-PDSO-N6
Каналов количество：2
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：1W
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：7.5m Ω @ 12A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1750pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：28nC @ 10V
Время подъема：9.2ns
Время падения (тип)：6.8 ns
Непрерывный ток стока (ID)：30A
Пороговое напряжение：1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：40A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)：150°C
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：1.8 V
Высота：800μm
Длина：5mm
Ширина：6mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 10

Итого $0.00000