(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы IRF7902TRPBF
Изображение служит лишь для справки
IRF7902TRPBF
-
Infineon Technologies
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
Date Sheet
Lagernummer 349
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：12 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.4A 9.7A
- Количество элементов：2
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：HEXFET®
- Опубликовано：1999
- Код JESD-609：e3
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Код ECCN：EAR99
- Сопротивление：22.6MOhm
- Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：2W
- Форма вывода：GULL WING
- Основной номер части：IRF7902PBF
- Конфигурация элемента：Dual
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2W
- Мощность - Макс：1.4W 2W
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：22.6m Ω @ 6.4A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.25V @ 25μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：580pF @ 15V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：6.9nC @ 4.5V
- Непрерывный ток стока (ID)：9.7A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：30V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：7.3 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Высота：1.4986mm
- Длина：4.9784mm
- Ширина：3.9878mm
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 349
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
