(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы NVMFD5485NLWFT1G
Изображение служит лишь для справки
NVMFD5485NLWFT1G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-PowerTDFN
- ON SEMICONDUCTOR - NVMFD5485NLWFT1G - NFET DFN8 60V 20A 60MOHM / REEL
Date Sheet
Lagernummer 360000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-PowerTDFN
- Количество контактов：8
- Время отключения：27.8 ns
- Рабочая температура：-55°C~175°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2014
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Not For New Designs
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
- Максимальная потеря мощности：2.9W
- Число контактов：8
- Каналов количество：2
- Конфигурация элемента：Dual
- Время задержки включения：9.5 ns
- Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：44m Ω @ 15A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：2.5V @ 250μA
- Без галогенов：Halogen Free
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：560pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：20nC @ 10V
- Время подъема：26.6ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：60V
- Время падения (тип)：23.7 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5.3A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 360000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
