(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы FDS4559-F085
Изображение служит лишь для справки
FDS4559-F085
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
Date Sheet
Lagernummer 78000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Количество контактов：8
- Вес：230.4mg
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：4.5A 3.5A
- Количество элементов：2
- Время отключения：19 ns
- Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Серия：Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
- Опубликовано：2002
- Безоловая кодировка：yes
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：8
- Максимальная потеря мощности：2W
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Распад мощности：2W
- Тип ТРВ：N and P-Channel
- Применение транзистора：SWITCHING
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：55m Ω @ 4.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：650pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：18nC @ 10V
- Время подъема：10ns
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Время падения (тип)：12 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：3.5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
- Максимальный сливовой ток (ID)：4.5A
- Сопротивление открытого канала-макс：0.055Ohm
- Напряжение пробоя стока к истоку：60V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Характеристика ТРП：Logic Level Gate
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 78000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
