AUIRF7316QTR

Name: Infineon Technologies AUIRF7316QTR
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (14 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 1000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：8 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：34 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2011
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：13 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：58m Ω @ 4.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：710pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：34nC @ 10V
Время подъема：13ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：32 ns
Непрерывный ток стока (ID)：-4.9A
Пороговое напряжение：-1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Напряжение пробоя стока к истоку：-30V
Максимальный импульсный ток вывода：30A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：140 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.5mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 1000

Итого $0.00000