AUIRF7342QTR

Name: Infineon Technologies AUIRF7342QTR
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (9 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
Date Sheet

Lagernummer 6055

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：10 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：43 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Опубликовано：2011
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：14 ns
Тип ТРВ：2 P-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：105m Ω @ 3.4A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：690pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：38nC @ 10V
Время подъема：10ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：55V
Время падения (тип)：22 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.4A
Пороговое напряжение：-1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.105Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：-55V
Рейтинг энергии лавины (Eas)：114 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Высота：1.5mm
Длина：5mm
Ширина：4mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant

Со склада 6055

Итого $0.00000