IRFHM8363TRPBF

Name: Infineon Technologies IRFHM8363TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 5 (13 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-PowerVDFN
MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
Date Sheet

Lagernummer 18

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-PowerVDFN
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：12 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Состояние изделия：Not For New Designs
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Matte Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика：HIGH RELIABILITY
Максимальная потеря мощности：2.7W
Основной номер части：IRFHM8363PBF
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2.7W
Сокетная связка：DRAIN
Время задержки включения：14 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：14.9m Ω @ 10A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：2.35V @ 25μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：1165pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：15nC @ 10V
Время подъема：94ns
Напряжение стока-исток (Vdss)：30V
Время падения (тип)：33 ns
Непрерывный ток стока (ID)：11A
Пороговое напряжение：1.8V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.0149Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：116A
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：1.8 V
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 18

Итого $0.00000