IRF9956TRPBF

Name: Infineon Technologies IRF9956TRPBF
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.5 (13 reviews)

Infineon Technologies
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Массивы
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC
Date Sheet

Lagernummer 5475

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Срок поставки от производителя：12 Weeks
Монтаж：Surface Mount
Вид крепления：Surface Mount
Корпус / Кейс：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов：8
Материал элемента транзистора：SILICON
Количество элементов：2
Время отключения：13 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tape & Reel (TR)
Серия：HEXFET®
Опубликовано：2004
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：8
Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Ток постоянного напряжения - номинальный：20V
Максимальная потеря мощности：2W
Форма вывода：GULL WING
Моментальный ток：3.5A
Основной номер части：IRF9956PBF
Конфигурация элемента：Dual
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：2W
Время задержки включения：6.2 ns
Тип ТРВ：2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：100m Ω @ 2.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：190pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：14nC @ 10V
Время подъема：8.8ns
Время падения (тип)：3 ns
Непрерывный ток стока (ID)：3.5A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：20V
Сопротивление открытого канала-макс：0.1Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку：30V
Максимальный импульсный ток вывода：16A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：44 mJ
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП：Logic Level Gate
Номинальное Vgs：20 V
Высота：1.4986mm
Длина：4.9784mm
Ширина：3.9878mm
REACH SVHC：No SVHC
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Contains Lead, Lead Free

Со склада 5475

Итого $0.00000