(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные 2N7002-VB
Изображение служит лишь для справки
2N7002-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 60V 250mA 2.8Ω@10V,200mA 300mW 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：60V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：2.8Ω@10V,200mA
- Power Dissipation (Pd)：300mW
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：2pF@25V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：25pF
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：600pC@4.5V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
- Тип：1 N-channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
