(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SM1A23NSD-VB
Изображение служит лишь для справки
SM1A23NSD-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 100V 3.5A 0.102Ω@10V,2A 1.6W 3V@250uA 1 N-channel SOT-89 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：100V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：0.102Ω@10V,2A
- Power Dissipation (Pd)：1.6W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：3V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：14pF@50V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：196pF@50V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：2.9nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
- Тип：1 N-channel
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
