Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные LP9435LT1G-VB
Изображение служит лишь для справки






LP9435LT1G-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 5.6A 1.6W 0.046Ω@10V,5.6A 500mV@250uA SOT-23 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 48000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС:true
- Drain Source Voltage (Vdss):30V
- Power Dissipation (Pd):1.6W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):0.046Ω@10V,5.6A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):500mV@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):130pF@15V
- Input Capacitance (Ciss@Vds):1.295nF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs):11.4nC
- Пакет:Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура:-55℃~+150℃
Со склада 48000
Итого $0.00000