(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NTD23N03RG-VB
Изображение служит лишь для справки
NTD23N03RG-VB
-
VBsemi Elec
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 30V 21.8A 0.007Ω@10V,21.8A 3.25W 2V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：30V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：0.007Ω@10V,21.8A
- Power Dissipation (Pd)：3.25W
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：370pF@15V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：2.201nF@15V
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：35nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+175℃
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
