(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные G160N04S2
Изображение служит лишь для справки
G160N04S2
-
GOFORD
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- 40V 9A 2.5W 21mΩ@4.5V,3A 1V@250uA SOP-8Dual MOSFETs ROHS
Date Sheet
Lagernummer 3238
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- РХОС：true
- Drain Source Voltage (Vdss)：40V
- Power Dissipation (Pd)：2.5W
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,3A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)：1V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)：80pF@20V
- Input Capacitance (Ciss@Vds)：989pF
- Total Gate Charge (Qg@Vgs)：24nC@10V
- Пакет：Tape & Reel (TR)
- Рабочая температура：-55℃~+150℃
Со склада 3238
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
