Изображение служит лишь для справки






PMPB13XNE
-
NXP Semiconductors
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- 8A, 30V, 0.016ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, DFN2020MD-6, 6 PIN
Date Sheet
Lagernummer 108000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:6
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of connector:pin strips
- Соединитель:socket
- Kind of connector:female
- Spatial orientation:straight
- Contacts pitch:2.54mm
- Electrical mounting:THT
- Connector pinout layout:2x19
- Row pitch:2.54mm
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Transferred
- Производитель IHS:NXP SEMICONDUCTORS
- Описание пакета:2 X 2 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEADLESS, ULTRA THIN, PLASTIC, DFN2020MD-6, 6 PIN
- Максимальный ток утечки (ID):8 A
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:SQUARE
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код JESD-609:e3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:TIN
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:NO LEAD
- Код соответствия REACH:unknown
- Нормативная Марка:IEC-60134
- Код JESD-30:S-PDSO-N6
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс:0.016 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:32 A
- Минимальная напряжённость разрушения:30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Профиль:beryllium copper
- Ток насыщения:1
Со склада 108000
Итого $0.00000