(0)
Изображение служит лишь для справки
BLP0427M9S20G
-
Ampleon
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-Oxide Semiconductor FET,
Date Sheet
Lagernummer 170
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：1x40
- Код цикла жизни компонента：Contact Manufacturer
- Производитель IHS：AMPLEON NETHERLANDS B V
- Описание пакета：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G2
- Температура работы-Макс：225 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Код соответствия REACH：unknown
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：R-PDSO-G2
- Конфигурация：SINGLE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：SOURCE
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Минимальная напряжённость разрушения：65 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Частотная полоса наивысшего режима：S BAND
- Профиль：beryllium copper
Со склада 170
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
