(0)
Изображение служит лишь для справки
BUK7Y12-100E
-
Nexperia
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 100V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：2x10
- Row pitch：2.54mm
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Описание пакета：SO8, LFPAK56-4
- Максимальный ток утечки (ID)：85 A
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN
- Дополнительная Характеристика：AVALANCHE RATED
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Нормативная Марка：AEC-Q101; IEC-60134
- Код JESD-30：R-PSSO-G4
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MO-235
- Сопротивление открытого канала-макс：0.012 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：339 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：139 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Профиль：beryllium copper
- Ток насыщения：1
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
