(0)
Изображение служит лишь для справки
TK750A60F
-
Toshiba America Electronic Components
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor
Date Sheet
Lagernummer 30000
- 1+： $0.77485
- 10+： $0.73099
- 100+： $0.68961
- 500+： $0.65058
- 1000+： $0.61375
Zwischensummenbetrag $0.77485
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Описание пакета：,
- Максимальный ток утечки (ID)：10 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：2x6
- Row pitch：2.54mm
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.75 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：600 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：201 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：40 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：8.5 pF
- Профиль：beryllium copper
Со склада 30000
- 1+： $0.77485
- 10+： $0.73099
- 100+： $0.68961
- 500+： $0.65058
- 1000+： $0.61375
Итого $0.77485
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
