Изображение служит лишь для справки






18NM70G-TN3-R
-
Unisonic Technologies Co Ltd
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:YES
- Количество терминалов:2
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Материал наружного корпуса:1
- Type of connector:pin strips
- Соединитель:socket
- Kind of connector:female
- Spatial orientation:straight
- Contacts pitch:2.54mm
- Electrical mounting:THT
- Connector pinout layout:1x40
- Рохс Код:Yes
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
- Максимальный ток утечки (ID):18 A
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:SMALL OUTLINE
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:SINGLE
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH:compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PSSO-G2
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Код JEDEC-95:TO-252
- Сопротивление открытого канала-макс:0.35 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода:45 A
- Минимальная напряжённость разрушения:700 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):204.8 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток):METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.):83 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss):71 pF
- Профиль:beryllium copper
Со склада 0
Итого $0.00000