Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTA144EE-TP

Изображение служит лишь для справки






DTA144EE-TP
-
Micro Commercial Co
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SOT-523
- TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523
Date Sheet
Lagernummer 2652
- 1+: $0.08044
- 10+: $0.07589
- 100+: $0.07159
- 500+: $0.06754
- 1000+: $0.06372
Zwischensummenbetrag $0.08044
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя:12 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:SOT-523
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Максимальный коллекторный ток (Ic):100mA
- Количество элементов:1
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Опубликовано:2004
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:3
- Код ECCN:EAR99
- Конечная обработка контакта:Matte Tin (Sn)
- Дополнительная Характеристика:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C):260
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):10
- Основной номер части:DTA144E
- Число контактов:3
- Код JESD-30:R-PDSO-G3
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
- Мощность - Макс:150mW
- Применение транзистора:SWITCHING
- Полярность/Тип канала:PNP
- Тип транзистора:PNP - Pre-Biased
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce:68 @ 5mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс):500nA
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic:300mV @ 500μA, 10mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.):50V
- Частота перехода:250MHz
- Частота - Переход:250MHz
- Максимальная потеря мощности (абс.):0.15W
- База (R1):47 k Ω
- Резистор - Эмиттер-База (R2):47 k Ω
- Состояние RoHS:ROHS3 Compliant
Со склада 2652
- 1+: $0.08044
- 10+: $0.07589
- 100+: $0.07159
- 500+: $0.06754
- 1000+: $0.06372
Итого $0.08044