(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные DTC014EUBTL
Изображение служит лишь для справки
DTC014EUBTL
-
ROHM Semiconductor
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-85
- TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
Date Sheet
Lagernummer 196000
- 1+： $0.04180
- 10+： $0.03943
- 100+： $0.03720
- 500+： $0.03510
- 1000+： $0.03311
Zwischensummenbetrag $0.04180
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：13 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-85
- Количество контактов：3
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Пакетирование：Tape & Reel (TR)
- Опубликовано：2015
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Количество выводов：3
- Код ECCN：EAR99
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Дополнительная Характеристика：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Выводной напряжение：50mV
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Применение транзистора：SWITCHING
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：150mV
- Максимальный ток сбора：50mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：35 @ 5mA 10V
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：150mV @ 500μA, 5mA
- Максимальная частота：250MHz
- Частота перехода：250MHz
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：10 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Резистор - Эмиттер-База (R2)：10 k Ω
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
- Без свинца：Lead Free
Со склада 196000
- 1+： $0.04180
- 10+： $0.03943
- 100+： $0.03720
- 500+： $0.03510
- 1000+： $0.03311
Итого $0.04180
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
