(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1442ATE85LF
Изображение служит лишь для справки
RN1442ATE85LF
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Trans Digital BJT NPN 20V 300mA 3-Pin S-Mini T/R
Date Sheet
Lagernummer 3190
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：S-Mini
- Диэлектрический пробой напряжение：20V
- Максимальный коллекторный ток (Ic)：300mA
- Минимальная частота работы в герцах：200
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Obsolete
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная потеря мощности：200mW
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Мощность - Макс：200mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：20V
- Максимальный ток сбора：300mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：200 @ 4mA 2V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：100mV @ 3mA, 30mA
- Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)：20V
- Максимальное напряжение разрушения：20V
- Частота - Переход：30MHz
- Напряжение эмиттер-база (VEBO)：25V
- База (R1)：10 kOhms
- Прямоходящий ток коллектора：300mA
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 3190
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
