(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные RN1310(TE85L,F)
Изображение служит лишь для справки
RN1310(TE85L,F)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Биполярные (BJT) - Одинарные, предварительно смещенные
- SC-70, SOT-323
- Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
Date Sheet
Lagernummer 3000
- 1+： $0.17708
- 10+： $0.16705
- 100+： $0.15760
- 500+： $0.14868
- 1000+： $0.14026
Zwischensummenbetrag $0.17708
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：11 Weeks
- Монтаж：Surface Mount
- Вид крепления：Surface Mount
- Корпус / Кейс：SC-70, SOT-323
- Количество контактов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Диэлектрический пробой напряжение：50V
- Количество элементов：1
- Минимальная частота работы в герцах：120
- Пакетирование：Cut Tape (CT)
- Опубликовано：2014
- Состояние изделия：Discontinued
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Максимальная потеря мощности：100mW
- Код соответствия REACH：unknown
- Направленность：NPN
- Конфигурация элемента：Single
- Распад мощности：100mW
- Тип транзистора：NPN - Pre-Biased
- Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)：300mV
- Максимальный ток сбора：100mA
- Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce：120 @ 1mA 5V
- Ток - отсечка коллектора (макс)：100nA ICBO
- Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic：300mV @ 250μA, 5mA
- Максимальное напряжение разрушения：50V
- Частота - Переход：250MHz
- База (R1)：4.7 k Ω
- Прямоходящий ток коллектора：100mA
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 3000
- 1+： $0.17708
- 10+： $0.16705
- 100+： $0.15760
- 500+： $0.14868
- 1000+： $0.14026
Итого $0.17708
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
