Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHH27N60EF-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки






SIHH27N60EF-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 47A; 174W
Date Sheet
Lagernummer 33
- 1+: $2.68305
- 10+: $2.53118
- 100+: $2.38791
- 500+: $2.25274
- 1000+: $2.12523
Zwischensummenbetrag $2.68305
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:600V
- Drain current:12A
- Pulsed drain current:47A
- Case:PowerPAK® 8x8L
- Gate-source voltage:±30V
- Монтаж:SMD
- Kind of package1:tape
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 33
- 1+: $2.68305
- 10+: $2.53118
- 100+: $2.38791
- 500+: $2.25274
- 1000+: $2.12523
Итого $2.68305