(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHH125N60EF-T1GE3
Изображение служит лишь для справки
SIHH125N60EF-T1GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 66A; 156W
Date Sheet
Lagernummer 13301252
- 1+： $3.19057
- 10+： $3.00997
- 100+： $2.83960
- 500+： $2.67887
- 1000+： $2.52723
Zwischensummenbetrag $3.19057
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：600V
- Drain current：14A
- Pulsed drain current：66A
- Case：PowerPAK® 8x8L
- Gate-source voltage：±30V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 13301252
- 1+： $3.19057
- 10+： $3.00997
- 100+： $2.83960
- 500+： $2.67887
- 1000+： $2.52723
Итого $3.19057
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
