(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SISS80DN-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки
SISS80DN-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 169A; Idm: 300A
Date Sheet
Lagernummer 21000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor：N-MOSFET
- Polarisation：unipolar
- Drain-source voltage：20V
- Drain current：169A
- Pulsed drain current：300A
- Case：PowerPAK® 1212-8
- Gate-source voltage：-8...12V
- Монтаж：SMD
- Kind of package1：tape
- Kind of package：reel
- Kind of channel：enhanced
- Certificates：RoHS compliant
Со склада 21000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
