Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные SIHH180N60E-T1-GE3
Изображение служит лишь для справки






SIHH180N60E-T1-GE3
-
VISHAY
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- -
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 114W
Date Sheet
Lagernummer 33
- 1+: $1.23112
- 10+: $1.16144
- 100+: $1.09570
- 500+: $1.03367
- 1000+: $0.97516
Zwischensummenbetrag $1.23112
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Type of transistor:N-MOSFET
- Polarisation:unipolar
- Drain-source voltage:600V
- Drain current:12A
- Pulsed drain current:44A
- Case:PowerPAK® 8x8L
- Gate-source voltage:±30V
- Монтаж:SMD
- Kind of package1:tape
- Kind of package:reel
- Kind of channel:enhanced
- Certificates:RoHS compliant
Со склада 33
- 1+: $1.23112
- 10+: $1.16144
- 100+: $1.09570
- 500+: $1.03367
- 1000+: $0.97516
Итого $1.23112