Изображение служит лишь для справки






PBMB75E6
-
KYOCERA Corporation
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж:NO
- Количество терминалов:12
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Код цикла жизни компонента:Active
- Производитель IHS:KYOCERA CORP
- Описание пакета:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12
- Количество элементов:4
- Температура работы-Макс:150 °C
- Материал корпуса пакета:UNSPECIFIED
- Форма упаковки:RECTANGULAR
- Форма упаковки:FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff):350 ns
- Время включения (тон):250 ns
- Код ECCN:EAR99
- Положение терминала:UPPER
- Форма вывода:UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH:unknown
- Код JESD-30:R-XUFM-X12
- Квалификационный Статус:Not Qualified
- Конфигурация:BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка:ISOLATED
- Полярность/Тип канала:N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC):75 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия:600 V
Со склада 0
Итого $0.00000