(0)
Изображение служит лишь для справки
SK13BGB123F
-
SEMIKRON
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 33A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE T23, 28 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：9
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SEMIKRON INTERNATIONAL
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P9
- Код упаковки производителя：CASE T23
- Количество элементов：2
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：465 ns
- Время включения (тон)：165 ns
- Код JESD-609：e2
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：PIN/PEG
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：28
- Нормативная Марка：UL RECOGNIZED
- Код JESD-30：R-XUFM-P9
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND SINGLE PHASE DIODE BRIDGE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：33 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：3 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
