(0)
Изображение служит лишь для справки
APTGF50X60RTP3G
-
Microsemi Corporation
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：35
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：MICROSEMI CORP
- Код упаковки компонента：MODULE
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35
- Уровни чувствительности к влажности：1
- Количество элементов：7
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：153 ns
- Время включения (тон)：52 ns
- Код JESD-609：e1
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN SILVER COPPER
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Число контактов：35
- Код JESD-30：R-XUFM-X35
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMPLEX
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：35 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
