(0)
Изображение служит лишь для справки
SKM100GAL121D
-
SEMIKRON
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：7
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SEMIKRON INTERNATIONAL
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7
- Количество элементов：1
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：350 ns
- Время включения (тон)：100 ns
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PUFM-X7
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：625 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：100 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：4 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.5 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：625 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
