(0)
Изображение служит лишь для справки
IMW120R060M1H
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 3800
- 1+： $5.83629
- 10+： $5.50593
- 100+： $5.19427
- 500+： $4.90026
- 1000+： $4.62289
Zwischensummenbetrag $5.83629
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON CARBIDE
- Материал наружного корпуса：1
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：2x32
- Row pitch：2.54mm
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Максимальный ток утечки (ID)：36 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：10
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247
- Сопротивление открытого канала-макс：0.106 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：76 A
- Минимальная напряжённость разрушения：1200 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：150 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：6.5 pF
- Профиль：beryllium copper
Со склада 3800
- 1+： $5.83629
- 10+： $5.50593
- 100+： $5.19427
- 500+： $4.90026
- 1000+： $4.62289
Итого $5.83629
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
