(0)
Изображение служит лишь для справки
SSM3K35MFV,L3F(T
-
Toshiba America Electronic Components
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Small Signal Field-Effect Transistor, 0.18A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Date Sheet
Lagernummer 160000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：TOSHIBA CORP
- Максимальный ток утечки (ID)：0.18 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：1x42
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：FLAT
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-F3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：4 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：0.15 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：4.1 pF
- Профиль：beryllium copper
Со склада 160000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
