(0)
Изображение служит лишь для справки
IPW65R041CFD7
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor,
Date Sheet
Lagernummer 30000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Описание пакета：,
- Date Of Intro：2020-06-23
- Максимальный ток утечки (ID)：50 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：1x43
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247
- Сопротивление открытого канала-макс：0.041 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：211 A
- Минимальная напряжённость разрушения：650 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：248 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：227 W
- Профиль：beryllium copper
Со склада 30000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
