(0)
Изображение служит лишь для справки
PSMN3R7-100BSE
-
Nexperia
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor
Date Sheet
Lagernummer 472
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：2
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：NEXPERIA
- Date Of Intro：2018-09-03
- Максимальный ток утечки (ID)：120 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-55 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Время отключения макс. (toff)：251 ns
- Время включения макс. (ton)：157 ns
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：1x18
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：TIN
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：GULL WING
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Нормативная Марка：IEC-60134
- Код JESD-30：R-PSSO-G2
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.00395 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：780 A
- Минимальная напряжённость разрушения：100 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：542 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：405 W
- Обратная ёмкость-Макс (Crss)：494 pF
- Профиль：beryllium copper
- Ток насыщения：1
Со склада 472
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
