(0)
Изображение служит лишь для справки
F3L400R07W3S5_B59
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-14
Date Sheet
Lagernummer 104
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：14
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：6
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Описание пакета：MODULE-14
- Температура работы-Макс：150 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：161 ns
- Время включения (тон)：35 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Нормативная Марка：IEC-60747; IEC-60749; IEC-60068; IEC-61140
- Код JESD-30：R-XUFM-X14
- Конфигурация：COMPLEX
- Сокетная связка：ISOLATED
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：130 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：650 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：1.5 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：4.75 V
Со склада 104
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
