(0)
Изображение служит лишь для справки
SIGC39T65E
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Описание пакета：,
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：UNCASED CHIP
- Безоловая кодировка：No
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：NO LEAD
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Код JESD-30：R-XUUC-N3
- Конфигурация：SINGLE
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：650 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：1.77 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.4 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
