(0)
Изображение служит лишь для справки
IKW25N120CS7
-
Infineon Technologies AG
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247,
Date Sheet
Lagernummer 10000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Type of connector：pin strips
- Соединитель：socket
- Kind of connector：female
- Spatial orientation：straight
- Contacts pitch：2.54mm
- Electrical mounting：THT
- Connector pinout layout：2x8
- Row pitch：2.54mm
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：INFINEON TECHNOLOGIES AG
- Температура работы-Макс：175 °C
- Минимальная температура работы：-40 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：260 ns
- Время включения (тон)：34 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247
- Максимальная потеря мощности (абс.)：250 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：55 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：2 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：6.45 V
- Профиль：beryllium copper
Со склада 10000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
