(0)
Изображение служит лишь для справки
SKIIP35NAB12T4V1
-
SEMIKRON
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 67A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINISKIIP 3, 68 PIN
Date Sheet
Lagernummer 500
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：68
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：7
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：SEMIKRON INTERNATIONAL
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X68
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：430 ns
- Время включения (тон)：95 ns
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Температура пайки (пиковая) (°C)：NOT SPECIFIED
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：NOT SPECIFIED
- Число контактов：68
- Нормативная Марка：UL RECOGNIZED
- Код JESD-30：R-XUFM-X68
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：COMPLEX
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальный ток коллектора (IC)：67 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на выходе：2.1 V
Со склада 500
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
