(0)
Изображение служит лишь для справки
1MBI300NN-120
-
Fuji Electric Co Ltd
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Description: Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-4
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：4
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：FUJI ELECTRIC CO LTD
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：950 ns
- Время включения (тон)：650 ns
- Код ECCN：EAR99
- Код ТН ВЭД：8541.29.00.95
- Положение терминала：UPPER
- Форма вывода：UNSPECIFIED
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：4
- Код JESD-30：R-XUFM-X4
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND CURRENT LIMITING CIRCUIT
- Сокетная связка：ISOLATED
- Применение транзистора：POWER CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：2000 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：300 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Максимальное напряжение на выходе：3.3 V
- Максимальная мощность dissipation окружающей среды：2000 W
- Время падения максимальное (tf)：500 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
