(0)
Изображение служит лишь для справки
HGTG10N120BND
-
Harris Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：HARRIS SEMICONDUCTOR
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：190 ns
- Время включения (тон)：21 ns
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS, HYPER FAST RECOVERY
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Сокетная связка：COLLECTOR
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247
- Максимальный ток коллектора (IC)：35 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
