(0)
Изображение служит лишь для справки
HGTG10N120BND
-
Intersil Corporation
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Description: 35A, 1200V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：No
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERSIL CORP
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время подъема макс：15 ns
- Время отключения (toff)：330 ns
- Время включения (тон)：32 ns
- Код JESD-609：e0
- Код ECCN：EAR99
- Конечная обработка контакта：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Дополнительная Характеристика：LOW CONDUCTION LOSS
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：not_compliant
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-247
- Максимальная потеря мощности (абс.)：298 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：35 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：1200 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Время падения максимальное (tf)：200 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
