(0)
Изображение служит лишь для справки
SGH80N60UFD
-
Samsung Semiconductor
-
Транзисторы - IGBT - Одинарные
- -
- Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Код цикла жизни компонента：Obsolete
- Производитель IHS：SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
- Код упаковки компонента：TO-3P
- Описание пакета：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Время отключения (toff)：167 ns
- Время включения (тон)：50 ns
- Код ECCN：EAR99
- Дополнительная Характеристика：HIGH SPEED SWITCHING
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Число контактов：2
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Применение транзистора：MOTOR CONTROL
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Максимальная потеря мощности (абс.)：200 W
- Максимальный ток коллектора (IC)：80 A
- Максимальное напряжение коллектор-эмиссия：600 V
- Напряжение затвор-эмиттер (макс.)：20 V
- Максимальное напряжение на переходе ГЭ：7.5 V
- Время падения максимальное (tf)：280 ns
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
