(0)
Изображение служит лишь для справки
SI4825DDY-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Small Signal Field-Effect Transistor, 14.9A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
Date Sheet
Lagernummer 10000
- 1+： $0.52612
- 10+： $0.49634
- 100+： $0.46825
- 500+： $0.44174
- 1000+： $0.41674
Zwischensummenbetrag $0.52612
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：YES
- Материал：steel
- Количество терминалов：8
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Gross Weight：55.00
- Нить：M6
- Внутренний диаметр：fastening hole (D2) - 10 mm
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MS-012, SOIC-8
- Максимальный ток утечки (ID)：14.9 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код JESD-609：e3
- Код ECCN：EAR99
- Тип：Talrep hook-ring series DIN 1480
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：GULL WING
- Глубина：hook grip (D1) - 10 mm
- Код соответствия REACH：compliant
- Код JESD-30：R-PDSO-G8
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Код JEDEC-95：MS-012AA
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0125 Ω
- Минимальная напряжённость разрушения：30 V
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：5 W
- Ток насыщения：1
Со склада 10000
- 1+： $0.52612
- 10+： $0.49634
- 100+： $0.46825
- 500+： $0.44174
- 1000+： $0.41674
Итого $0.52612
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
