(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFB7437PBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Description: Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 40V, 0.002ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 0
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал：polyamide PA66, white
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
- Максимальный ток утечки (ID)：195 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Gross Weight：0.28
- Характеристика：thread (d) - M4; thread length (L) - 16 mm
- Код ECCN：EAR99
- Тип：DIN84 series polyamide screw
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Код соответствия REACH：unknown
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.002 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：1000 A
- Минимальная напряжённость разрушения：40 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：350 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：230 W
Со склада 0
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
