(0)
Изображение служит лишь для справки
IRFB5615PBF
-
International Rectifier
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 150V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3
Date Sheet
Lagernummer 5000
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Поверхностный монтаж：NO
- Материал：polyamide PA66, white
- Количество терминалов：3
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Transferred
- Производитель IHS：INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
- Код упаковки компонента：TO-220AB
- Описание пакета：PLASTIC PACKAGE-3
- Максимальный ток утечки (ID)：35 A
- Температура работы-Макс：175 °C
- Материал корпуса пакета：PLASTIC/EPOXY
- Форма упаковки：RECTANGULAR
- Форма упаковки：FLANGE MOUNT
- Gross Weight：0.11
- Нить：M4
- Код JESD-609：e3
- Безоловая кодировка：Yes
- Код ECCN：EAR99
- Тип：polyamide nut DIN 555 series
- Конечная обработка контакта：MATTE TIN OVER NICKEL
- Положение терминала：SINGLE
- Форма вывода：THROUGH-HOLE
- Температура пайки (пиковая) (°C)：250
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：30
- Число контактов：3
- Код JESD-30：R-PSFM-T3
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：AMPLIFIER
- Полярность/Тип канала：N-CHANNEL
- Код JEDEC-95：TO-220AB
- Сопротивление открытого канала-макс：0.039 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：140 A
- Минимальная напряжённость разрушения：150 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：109 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：144 W
Со склада 5000
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
