(0)
Изображение служит лишь для справки
SIS407DN-T1-GE3
-
Vishay Intertechnologies
-
Транзисторы - Специального назначения
- -
- Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 20V, 0.0102ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
Date Sheet
Lagernummer 64755
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Поверхностный монтаж：YES
- Количество терминалов：5
- Материал элемента транзистора：SILICON
- Материал наружного корпуса：1
- Рохс Код：Yes
- Код цикла жизни компонента：Active
- Производитель IHS：VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Описание пакета：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, LEADLESS, 1212-8, POWERPAK-8
- Максимальный ток утечки (ID)：25 A
- Температура работы-Макс：150 °C
- Материал корпуса пакета：UNSPECIFIED
- Форма упаковки：SQUARE
- Форма упаковки：SMALL OUTLINE
- Код ECCN：EAR99
- Положение терминала：DUAL
- Форма вывода：C BEND
- Температура пайки (пиковая) (°C)：260
- Код соответствия REACH：compliant
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с)：40
- Код JESD-30：S-XDSO-C5
- Квалификационный Статус：Not Qualified
- Конфигурация：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы：ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка：DRAIN
- Применение транзистора：SWITCHING
- Полярность/Тип канала：P-CHANNEL
- Сопротивление открытого канала-макс：0.0102 Ω
- Максимальный импульсный ток вывода：40 A
- Минимальная напряжённость разрушения：20 V
- Рейтинг энергии лавины (Eas)：20 mJ
- Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- Максимальная потеря мощности (абс.)：33 W
Со склада 64755
Итого $0.00000
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
