(0)
Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные TK5A53D(STA4,Q,M)
Изображение служит лишь для справки
TK5A53D(STA4,Q,M)
-
Toshiba Semiconductor and Storage
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS
Date Sheet
Lagernummer 78
- 1+： $1.51781
- 10+： $1.43190
- 100+： $1.35085
- 500+： $1.27438
- 1000+： $1.20225
Zwischensummenbetrag $1.51781
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Срок поставки от производителя：16 Weeks
- Монтаж：Through Hole
- Вид крепления：Through Hole
- Корпус / Кейс：TO-220-3 Full Pack
- Количество контактов：3
- Поставщик упаковки устройства：TO-220SIS
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：5A Ta
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
- Максимальная мощность рассеяния：35W Tc
- Рабочая температура：150°C TJ
- Пакетирование：Tube
- Серия：π-MOSVII
- Опубликовано：2010
- Состояние изделия：Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
- Максимальная рабочая температура：150°C
- Минимальная температура работы：-55°C
- Тип ТРВ：N-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.5Ohm @ 2.5A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id：4.4V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：540pF @ 25V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：11nC @ 10V
- Время подъема：18ns
- Напряжение стока-исток (Vdss)：525V
- Угол настройки (макс.)：±30V
- Время падения (тип)：8 ns
- Непрерывный ток стока (ID)：5A
- Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
- Входной ёмкости：540pF
- Rds на макс.：1.5 Ω
- Корпусировка на излучение：No
- Состояние RoHS：RoHS Compliant
Со склада 78
- 1+： $1.51781
- 10+： $1.43190
- 100+： $1.35085
- 500+： $1.27438
- 1000+： $1.20225
Итого $1.51781
Центр поддержки
услуга покупки
пункты договора
Корпорация Whisyee
Контакты
