Главное Дискретные полупроводниковые Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные NVMFS5A140PLZWFT3G

Изображение служит лишь для справки






NVMFS5A140PLZWFT3G
-
ON Semiconductor
-
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
- 8-PowerTDFN, 5 Leads
- -40V4.2MOHMSINGLE
Date Sheet
Lagernummer 790
Zwischensummenbetrag $0.00000
Спецификация Часто задаваемые вопросы
- Состояние жизненного цикла:ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Срок поставки от производителя:40 Weeks
- Вид крепления:Surface Mount
- Корпус / Кейс:8-PowerTDFN, 5 Leads
- Поверхностный монтаж:YES
- Материал элемента транзистора:SILICON
- Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C:20A Ta 140A Tc
- Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On):4.5V 10V
- Количество элементов:1
- Максимальная мощность рассеяния:3.8W Ta 200W Tc
- Рабочая температура:-55°C~175°C TJ
- Пакетирование:Tape & Reel (TR)
- Серия:Automotive, AEC-Q101
- Опубликовано:2015
- Код JESD-609:e3
- Безоловая кодировка:yes
- Состояние изделия:Active
- Уровень чувствительности к влаге (УЧВ):1 (Unlimited)
- Количество выводов:5
- Конечная обработка контакта:Tin (Sn)
- Положение терминала:DUAL
- Форма вывода:FLAT
- Температура пайки (пиковая) (°C):NOT SPECIFIED
- Время@Максимальная температура пайки-пик (с):NOT SPECIFIED
- Код JESD-30:R-PDSO-F5
- Конфигурация:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Режим работы:ENHANCEMENT MODE
- Сокетная связка:DRAIN
- Тип ТРВ:P-Channel
- Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs:4.2m Ω @ 50A, 10V
- Втс(th) (Макс) @ Id:2.6V @ 1mA
- Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds:7400pF @ 20V
- Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs:136nC @ 10V
- Напряжение стока-исток (Vdss):40V
- Угол настройки (макс.):±20V
- Максимальный сливовой ток (ID):140A
- Сопротивление открытого канала-макс:7.2Ohm
- Максимальный импульсный ток вывода:560A
- Минимальная напряжённость разрушения:40V
- Рейтинг энергии лавины (Eas):420 mJ
- Состояние RoHS:RoHS Compliant
Со склада 790
Итого $0.00000