FQP8N90C

Name: ON Semiconductor FQP8N90C
Brand: ON Semiconductor
Rating: 4.7 (11 reviews)

ON Semiconductor
Транзисторы - Полевые (FET), МОП-транзисторы - Одинарные
TO-220-3
MOSFET 900V N-Ch Q-FET advance C-Series
Date Sheet

Lagernummer 86000

Zwischensummenbetrag $0.00000

Спецификация Часто задаваемые вопросы

Состояние жизненного цикла：ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя：5 Weeks
Монтаж：Through Hole
Вид крепления：Through Hole
Корпус / Кейс：TO-220-3
Количество контактов：3
Вес：1.8g
Материал элемента транзистора：SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C：6.3A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)：10V
Количество элементов：1
Максимальная мощность рассеяния：171W Tc
Время отключения：70 ns
Рабочая температура：-55°C~150°C TJ
Пакетирование：Tube
Серия：QFET®
Опубликовано：2013
Код JESD-609：e3
Безоловая кодировка：yes
Состояние изделия：Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)：1 (Unlimited)
Количество выводов：3
Код ECCN：EAR99
Конечная обработка контакта：Tin (Sn)
Ток постоянного напряжения - номинальный：900V
Температура пайки (пиковая) (°C)：260
Моментальный ток：6.3A
Конфигурация элемента：Single
Режим работы：ENHANCEMENT MODE
Распад мощности：171W
Время задержки включения：40 ns
Тип ТРВ：N-Channel
Применение транзистора：SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs：1.9 Ω @ 3.15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id：5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds：2080pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs：45nC @ 10V
Время подъема：110ns
Угол настройки (макс.)：±30V
Время падения (тип)：70 ns
Непрерывный ток стока (ID)：6.3A
Код JEDEC-95：TO-220AB
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)：30V
Напряжение пробоя стока к истоку：900V
Максимальный импульсный ток вывода：25A
Рейтинг энергии лавины (Eas)：850 mJ
Корпусировка на излучение：No
Состояние RoHS：ROHS3 Compliant
Без свинца：Lead Free

Со склада 86000

Итого $0.00000